ترانزیستور ماسفت IRFZ44NPBF پکیج TO-220

ترانزیستور ماسفت IRFZ44NPBF پکیج TO-220 یک نوع ماسفت قدرت N-CHANEL میباشد. این ترانزیستور دارای ولتاژ درین سورس 55 ولت و جریان درین 49 آمپر می باشد. همچنین پکیج این ماسفت TO-220 از نوع فلزی می باشد.

این نوع ماسفت برای دستگاههای (ماینینگ) و منابع تغذیه سوئیچینگ مورد استفاده قرار میگیرد.این نوع ماسفت در انواع دستگاه های ماینر از قبیل AntMiner، Whatsminer و… استفاده میشود.

ترانزیستور :

ترانزیستور ها یکی از قطعات الکترونيكي هستند که بعد از ساخته شدن، جهش بزرگی درعلم و تکنولوژی به وجود آوردند. ترانزیستور وظيفه تقویت سیگنال را بر عهده دارند. در مدارهاي آنالوگ  ترانزیستورها در تقويت كننده هااستفاده می‌شوند.

(تقویت سيگنال هايي مثل  صوت يا امواج راديويي  ) و نیز منابع تغذيه تثبیت‌شده خطی و غیرخطی اما  در مدارهاي ديجيتال از ترانزیستورها به عنوان سوییچ (کلید) الکترونیکی استفاده می‌شود. 

این قطعه ترانزیستور ماسفت IRFZ44NPBF پکیج TO-220 ميتواند مانند سوییچی بین حالات و انتخاب‌های مختلف ما در مدار عمل كند. همچنين می‌تواند ولتاژ و جریان سیگنالی که دریافت می‌کند را تنظیم کند.

ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.

برخلاف ترانزيستور هاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.

کاربرد ترانزيستور   ماسفت به عنوان سوييچ براي استفاده از ماسفت به عنوان يک سوييچ کافي است ولتاژ gate نسبت به Source بيشتر باشد. به اين اختلاف ولتاژ VGS يعني اختلاف ولتاژ بين Gate و Source گويند. بديهي است که هرگاه پين Gate را به پين Source متصل کنيم در اين صورت VGS=0 مي گردد پس در نتيجه هيچ جرياني از Drain خارج نمي شود و سوييچ باز خواهد بود.

مشخصات ترانزیستور ماسفت IRFZ44NPBF پکیج TO-220 :

• Manufacturer: Infineon
  Product Category: MOSFET
  Technology: Si
  Mounting Style: Through Hole
  Package / Case: TO-220-3
  Number of Channels: 1 Channel
  Transistor Polarity: N-Channel
  Vds – Drain-Source Breakdown Voltage: 55 V
  Id – Continuous Drain Current: 49 A
  Rds On – Drain-Source Resistance: 17.5 mOhms
  Vgs – Gate-Source Voltage: 20 V
  Minimum Operating Temperature: – 55 C
  Maximum Operating Temperature: + 175 C
  Pd – Power Dissipation: 94 W
  Configuration: Single
  Channel Mode: Enhancement
  Height: 15.65 mm
  Length: 10 mm
  Transistor Type: 1 N-Channel
  Type: HEXFET Power MOSFET
  Width: 4.4 mm
  Brand: Infineon / IR
  Forward Transconductance – Min: 19 S
  Fall Time: 45 ns
  Product Type: MOSFET
  Rise Time: 60 ns
  Factory Pack Quantity: 100
  Subcategory: MOSFETs
  Typical Turn-Off Delay Time: 44 ns
  Typical Turn-On Delay Time: 12 ns
  Unit Weight: 0.211644 oz