ترانزیستور ماسفت IRF3205PBF پکیج TO-220

ترانزیستور ماسفت IRF3205PBF پکیج TO-220 یک نوع ماسفت قدرت N-CHANEL میباشد. این ترانزیستور دارای ولتاژ درین سورس 55 ولت و جریان درین 110 آمپر می باشد. همچنین پکیج این ماسفت TO-220 از نوع فلزی می باشد.

این نوع ماسفت برای دستگاههای (ماینینگ) و منابع تغذیه سوئیچینگ مورد استفاده قرار میگیرد.این نوع ماسفت در انواع دستگاه های ماینر از قبیل AntMiner، Whatsminer و… استفاده میشود.

ترانزیستور :

ترانزیستور ها یکی از قطعات الکترونيكي هستند که بعد از ساخته شدن، جهش بزرگی درعلم و تکنولوژی به وجود آوردند. ترانزیستور وظيفه تقویت سیگنال را بر عهده دارند. در مدارهاي آنالوگ  ترانزیستور ها در تقويت كننده هااستفاده می‌شوند.

(تقویت سيگنال هايي مثل  صوت يا امواج راديويي  ) و نیز منابع تغذيه تثبیت‌شده خطی و غیرخطی اما  در مدارهاي ديجيتال از ترانزیستور ها به عنوان سوییچ (کلید) الکترونیکی استفاده می‌شود. 

این قطعه ترانزیستور ماسفت IRF1404PBF پکیج TO-220 ميتواند مانند سوییچی بین حالات و انتخاب‌های مختلف ما در مدار عمل كند. همچنين می‌تواند ولتاژ و جریان سیگنالی که دریافت می‌کند را تنظیم کند.

ماسفت (MOSFET) مخفف عبارت Meta Oxide Semiconductor Field Effect Transistor است و همانطور که از نام آن مشخص است از نوع ترانزيستورهاي اثر ميدان (Field Effect Transistor = FET) مي باشد.

برخلاف ترانزيستور هاي BJT که برمبناي کنترل جريان عمل مي کنند، ماسفت ها بر مبناي کنترل ولتاژ عمل مي کنند و به جاي سه پايه ي Base و Collector و Emitter داراي سه پايه ي Gate و Source و Drain مي باشند.

کاربرد ترانزيستور   ماسفت به عنوان سوييچ براي استفاده از ماسفت به عنوان يک سوييچ کافي است ولتاژ gate نسبت به Source بيشتر باشد. به اين اختلاف ولتاژ VGS يعني اختلاف ولتاژ بين Gate و Source گويند. بديهي است که هرگاه پين Gate را به پين Source متصل کنيم در اين صورت VGS=0 مي گردد پس در نتيجه هيچ جرياني از Drain خارج نمي شود و سوييچ باز خواهد بود.

ویژگی های ترانزیستور ماسفت IRF3205PBF پکیج TO-220 :

• Mounting Style:     Through Hole
  Package / Case:     TO-220-3
  Number of Channels:     1 Channel
  Transistor Polarity:     N-Channel
  Vds – Drain-Source Breakdown Voltage:     55 V
  Id – Continuous Drain Current:     110 A
  Rds On – Drain-Source Resistance:     8 mOhms
  Vgs – Gate-Source Voltage:     20 V
  Maximum Operating Temperature:     + 175 C
  Fall Time:     65 ns
  Height:     8.77 mm
  Length:     10.54 mm
  Minimum Operating Temperature:     – 55 C
  Pd – Power Dissipation:     200 W
  Rise Time:     101 ns
  Transistor Type:     1 N-Channel
  Typical Turn-Off Delay Time:     50 ns