ترانزیستور ماسفت SG40N01Q  یکی از متداول ترین انواع ترانزیستور FET گیت عایق بندی ایزوله در بسیاری از مدارهای الکترونیکی مورد استفاده قرار می‌گیرد .  ترانزیستور اثر میدانی نیمه هادی اکسید فلز (Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor) یا به اختصار ماسفت MOSFET نامیده می‌شود.

• حداکثر Vds (ولت) :40
• دمای کاری(سانتیگراد) :-55 to 150

ماسفت یا GFET یک ترانزیستور اثر میدانی کنترل شده با ولتاژ است. این ترانزیستور به دلیل اینکه یک الکترود گیت “اکسید فلز” دارد . که با لایه بسیار نازکی از مواد عایق از کانال n یا کانال p نیمه هادی اصلی عایق بندی شده، با JFETمتفاوت است.

گیت از لحاظ الکتریکی به کمک لایه‌ نازکی از یک عایق که معمولاً اکسید سیلیکون است، از نیمه‌هادی نوع N یا P که در پیوند اصلی قرار دارند ایزوله می‌شود. این لایه عایق فوق العاده نازک را می توان به عنوان صفحه یک خازن در نظر گرفت.

جدا سازی گیت کنترل باعث افزایش مقاومت ورودی ترانزیستور   MOSFET تا محدوده مگا اهم (MΩ) می شود و مقاومت ورودی تقریباً بی نهایت ایجاد می‌کند. به این دلیل که ترمینال گیت (Gate) از کانال انتقال جریان اصلی بین درین (Drain) و سورس (Source) از نظر الکتریکی جدا شده است .  هیچ جریانی به گیت وارد نمی‌شود.

درست مانندJFET ، ترانزیستور  MOSFET نیز مانند یک مقاومت کنترل شده با ولتاژ عمل میکند  . جایی که جریان از طریق کانال اصلی بین درین و سورس متناسب با ولتاژ ورودی است.

مقاومت ورودی بسیار بالای ترانزیستور   MOSFET میتواند به راحتی باعث تجمیع مقدار زیادی از بار استاتیک شده و در نتیجه به MOSFET صدمه وارد شود . مگر اینکه با دقت محافظت شود.